HXY50P03DF دیتاشیت

HXY50P03DF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY50P03DF
حجم فایل 70.844 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HXY50P03DF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY50P03DF
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2215pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@10V,30A
  • Package: DFN-8L(3x3)
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه